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  • 深圳市深創鑫科技有限公司認證

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    IXFN44N60

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  • 國豐臨科技(深圳)有限公司認證

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    0755-8860448418038004416國利大廈2701室11016578

    IXFN44N60

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  • 柒號芯城電子商務(深圳)有限公司認證

    12

    0755-83663056189293740370755-82537787深圳市福田區華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516

    IXFN44N60

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    1萬

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  • 上海典宇電子科技有限公司

    6

    1376112565513761125655劉曉燕榮樂中路89號11013188

  • IXFN44N60
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  • 上海傳澤電子科技有限公司

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    13381567868劉維華上海市松江區樂都西路825弄8990號5層01015811

  • IXFN44N60
  • DIP 
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  • 深圳市輝華拓展電子有限公司

    16

    0755-8279089118126117392陳玲玲18126117392深圳市福田區漢國中心55樓11010821

  • IXFN44N60
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  • 深圳市安富世紀電子有限公司

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    0755-8257321018124040553楊丹妮0755-82573210深圳市福田區中航路都會軒240611012658

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  • IXYS 
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  • 深圳市坤融電子有限公司

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  • 深圳市壹芯創科技有限公司

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  • 深圳市壹芯創科技有限公司

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  • IXFN44N60
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  • 深圳市毅創騰電子科技有限公司

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  • 深圳市億鴻豐電子科技有限公司

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  • 深圳市春東電子有限公司

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

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  • IXYS 
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IXFN44N60 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:IXYS[IXYS Corporation]
  • PDF文件大?。?28.9 Kbytes
  • PDF文件頁數:共4頁
  • 描述:HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN44N60技術規格
  • 制造商:IXYS
  • 產品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術:Si
  • 安裝風格:Chassis Mount
  • 封裝 / 箱體:SOT-227-4
  • 通道數量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
  • Id-連續漏極電流:44 A
  • Rds On-漏源導通電阻:130 mOhms
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:600 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標名:HiPerFET
  • 封裝:Tube
  • 高度:9.6 mm
  • 長度:38.2 mm
  • 系列:IXFN44N60
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:25.07 mm
  • 商標:IXYS
  • 下降時間:45 ns
  • 產品類型:MOSFET
  • 上升時間:55 ns
  • 工廠包裝數量:10
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關閉延遲時間:110 ns
  • 典型接通延遲時間:42 ns
  • 單位重量:30 g
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